HAST加速老化試驗(yàn)箱應(yīng)用：
廣泛適用于國防、航天、汽車部件、電子零配件、半導(dǎo)體、芯片測封、塑膠、磁鐵行業(yè)、制藥線路板，多層線路板、IC、LCD、磁鐵、燈飾、照明制品等產(chǎn)品之密封性能的檢測，相關(guān)之產(chǎn)品作加速壽命試驗(yàn)，使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段,用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié)，測試其制品的耐厭性，氣密性。

芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：

1、自動(dòng)加水功能，測試時(shí)自動(dòng)補(bǔ)水，蓄水時(shí)間短。

2、自動(dòng)操作，測試過程結(jié)束，使用方便。

3、溫度控制：原裝進(jìn)口PLC彩色觸摸屏溫控器可對(duì)溫度設(shè)定、控制和顯示進(jìn)行精確測試。

4、LED數(shù)碼計(jì)時(shí)器，當(dāng)內(nèi)盒溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，開始計(jì)時(shí)，確保測試完成。

5、準(zhǔn)確的壓力：溫度圖表總是顯示內(nèi)盒的壓力和相對(duì)濕度。

6、水裝置自動(dòng)排出不飽和蒸汽，以達(dá)到最佳的蒸汽品質(zhì)。

7、硅膠整體門封條，氣密性好，使用壽命長。

8、內(nèi)盒鏡面拋光，美觀無污染。

芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱試驗(yàn)說明：

1.JESD22-A102-E：PCT高壓蒸煮試驗(yàn)

2.JESD22-A102-D：PCT無偏壓高壓加速抗?jié)裥栽囼?yàn)

◎試驗(yàn)條件包括：溫度，相對(duì)濕度，蒸汽壓力和持續(xù)時(shí)間

◎常用測試條件：121℃±2/100%R.H/29.7psia（205kpa）/24h,48h,96h,168h,240h,336h

芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱安全裝置：

1、安全裝置：如果內(nèi)箱沒有關(guān)閉，機(jī)器就不能啟動(dòng)。

2、安全閥：當(dāng)內(nèi)箱的壓力高于機(jī)器的承受值時(shí)，它會(huì)自行減壓。

3、雙重過熱保護(hù)裝置：當(dāng)箱內(nèi)溫度過高時(shí)，報(bào)警，自動(dòng)切斷加熱電源。

4、防護(hù)：內(nèi)箱蓋采用鋁合金制成，保護(hù)工人免受燙傷。

芯片半導(dǎo)體HAST加速老化試驗(yàn)箱規(guī)格/SPEC:（可根據(jù)用戶產(chǎn)品尺寸進(jìn)行設(shè)計(jì)定制）

為什么芯片、半導(dǎo)體、IC出廠前需要做加速老化測試（HAST測試）

隨著芯片進(jìn)入汽車，云計(jì)算和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的市場，IC的可靠性也成為開發(fā)人員關(guān)注的點(diǎn)，事實(shí)也證明，隨著時(shí)間推移，芯片想要達(dá)到目標(biāo)的功能也會(huì)變得越來越難實(shí)現(xiàn)。

在過去，那些專為手機(jī)和電腦設(shè)計(jì)的芯片可以在高性能下正常使用2年到四年，兩年到四年后，芯片功能便開始下降。

但是隨著芯片投入到新的市場和過去不太成熟的電子產(chǎn)品市場，這將不再是個(gè)簡單的問題。

每個(gè)終端市場都具有獨(dú)特的需求，對(duì)于芯片、半導(dǎo)體、IC的使用方法和條件也不相同。而芯片的使用方法和條件對(duì)老化安全等問題，產(chǎn)生更大影響。影響芯片的質(zhì)量因素相比之前更多。在PCB上當(dāng)一個(gè)已知較好的芯片和其他芯片一同封裝，性能的表現(xiàn)或許也會(huì)有所不同。

芯片由始至終都在運(yùn)行，芯片、半導(dǎo)體、IC內(nèi)部的模塊也在一直加熱，這就導(dǎo)致了老化加速，或許這會(huì)帶來各種未知的問題。

所以芯片設(shè)計(jì)公司都會(huì)在芯片出廠前進(jìn)行芯片加速老化測試（HAST）從而篩選測試更好的良片投放市場。

芯片、半導(dǎo)體可靠性測試設(shè)備的類型：

可靠性測試的重點(diǎn)是使設(shè)備因過壓而失效。在此過程中，操作測試顯示芯片保持功能的程度。每當(dāng)組件達(dá)到其斷裂點(diǎn)時(shí)，分析就會(huì)顯示其設(shè)計(jì)是否具有內(nèi)在的合理性。該方法預(yù)測一旦大規(guī)模生產(chǎn)并在現(xiàn)場部署，該設(shè)備是否會(huì)在可接受的水平上運(yùn)行。

自 IC 芯片首次亮相以來的幾十年里，測試工程師開發(fā)了不同類型的加速壽命測試 (ALT) 。?各種因素決定了哪些測試適用于給定設(shè)備。前幾代的操作規(guī)范和可靠性數(shù)據(jù)庫形成了一個(gè)統(tǒng)計(jì)基線，從中可以得出新的設(shè)備測試結(jié)果。

JEDEC 等半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織建立了適當(dāng)?shù)目煽啃詼y試參數(shù)。一些最常見的測試包括：

高溫貯存試驗(yàn)、 低溫貯存試驗(yàn)、溫濕度貯存試驗(yàn) 、溫濕度偏壓試驗(yàn) 、高溫水蒸汽壓力試驗(yàn) 、高溫加速溫濕度試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn) 、溫度沖擊試驗(yàn)、高溫壽命試驗(yàn)、高溫偏壓試驗(yàn)等

環(huán)境測試(Environment Test)

· 高溫貯存試驗(yàn)(High Temperature Storage Test) : 在高溫的狀態(tài)下,使組件加速老化?？墒闺姎庑阅芊€(wěn)定,以及偵測表面與結(jié)合缺陷。

· 低溫貯存試驗(yàn)(Low Temperature Storage Test) : 在極低的溫度下，利用膨脹收縮造成機(jī)械變型。對(duì)組件結(jié)構(gòu)上造成脆化而引發(fā)的裂痕。

· 溫濕度貯存試驗(yàn)(Temperature Humidity Storage Test) : 以高溫潮濕的環(huán)境,加速化學(xué)反應(yīng)造成腐蝕現(xiàn)象。測試組件的抗蝕性。

· 高溫水蒸汽壓力試驗(yàn)(Pressure Cook Test)/高加速溫濕度試驗(yàn)(High Acclerate Stress Test) : 與溫濕度貯存試驗(yàn)原理相同，不同地方是在加濕過程中,壓力大于大氣壓力，更加速了腐蝕速度，引發(fā)出封裝不佳的產(chǎn)品,內(nèi)部因此而腐蝕。

· 溫度循環(huán)試驗(yàn)(Temperature Cycling Test) : 使零件冷熱交替幾個(gè)循環(huán)，利用膨脹系數(shù)的差異，造成對(duì)組件的影響。可用來剔除因晶粒﹑打線及封裝等受溫度變化而失效之零件。

· 溫度沖擊試驗(yàn)(Thermal shock Test) : 基本上跟溫度循環(huán)試驗(yàn)原理一樣，差異是加快溫度變化速度。測定電子零件曝露于高低溫情況下之抗力,可以偵測包裝密封﹑晶粒結(jié)合﹑打線結(jié)合﹑基體裂縫等缺陷。

· 高溫壽命試驗(yàn)(High Temperature Operating Life Test) : 利用高溫及電壓加速的方法，在高溫下加速老化，再外加訊號(hào)進(jìn)去，仿真組件執(zhí)行其功能的狀態(tài)。藉短時(shí)間的實(shí)驗(yàn),來評(píng)估IC產(chǎn)品的長時(shí)間操作壽命。

· 前處里(Precondition Test) 對(duì)零件執(zhí)行功能量測﹑外觀檢查﹑超音波掃瞄(SAT) ﹑溫度循環(huán)(Temperature Cycling ) ﹑烘烤(Bake )浸濕( Moisture Soak )等程序。仿真組件在開始使用前所經(jīng)歷的運(yùn)輸、儲(chǔ)存、回焊等變化做為其它可靠性試驗(yàn)之前置處理。

運(yùn)送測試(Transportation Test)

· 震動(dòng)測試(Vibration Test)：仿真地面運(yùn)輸或產(chǎn)品操作使用時(shí),所產(chǎn)生的震動(dòng)環(huán)境。將構(gòu)裝組件結(jié)構(gòu)內(nèi)原有的缺陷，經(jīng)由震動(dòng)行為加速缺陷的劣化狀況，進(jìn)而導(dǎo)致組件機(jī)制失效。

· 機(jī)械沖擊測試(Mechanical Shock Test)：將試件在一定的高度上,沿斜滑軌下滑與底部的障礙物相撞,而產(chǎn)生沖擊。將構(gòu)裝組件結(jié)構(gòu)內(nèi)原有的缺陷，經(jīng)由沖擊行為加速缺陷的劣化狀況，進(jìn)而導(dǎo)致組件機(jī)制失效。

· 落下測試(Drop Test)：把裝有試件的工作臺(tái)上升到一定高度,突然釋放而跌落,與底部的鋼板或水泥板相撞而發(fā)生沖擊。評(píng)估產(chǎn)品因?yàn)榈洌诎踩珬l件需求下最小的強(qiáng)韌性。